11 月 11 日消息，據(jù)《工商時(shí)報(bào)》今天報(bào)道，摩根大通最新報(bào)告指出，臺(tái)積電 N3（3nm 工藝）產(chǎn)能將在 2026 年前達(dá)到極限，即使通過改造老產(chǎn)線、跨廠協(xié)作提高產(chǎn)能仍會(huì)出現(xiàn)明顯缺口。

報(bào)告指出，盡管英偉達(dá)要求臺(tái)積電將 3nm 產(chǎn)能提升至每月 16 萬(wàn)片，但臺(tái)積電到 2026 年底的實(shí)際產(chǎn)能只能達(dá)到 14-13.5 萬(wàn)片，供應(yīng)缺口將持續(xù)兩年以上，同時(shí) AI 芯片的爆炸性需求正拉高臺(tái)積電的產(chǎn)能利用率和議價(jià)能力，預(yù)計(jì) 2026 年上半年毛利率將升至 60% 區(qū)間。

值得注意的是，英偉達(dá)、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、亞馬遜和 Meta 等大客戶都已經(jīng)提前鎖定 3nm 產(chǎn)能，其中英偉達(dá) Rubin、博通 TPU v7、蘋果 C2 基帶、聯(lián)發(fā)科 / 高通旗艦手機(jī)芯片等產(chǎn)品都將全面使用 3nm 制程，由于上述客戶已將產(chǎn)能預(yù)訂一空，摩根大通認(rèn)為加密幣“礦機(jī)”等次要需求在 2026 年幾乎無(wú)法被滿足。

在這種壓力下，臺(tái)積電選擇將現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行靈活調(diào)整而非新建 3nm 晶圓廠，其中位于臺(tái)南市的晶圓第 18 廠將轉(zhuǎn)換部分 4nm 產(chǎn)線，每月可新增約 2.5 萬(wàn)片 3nm 產(chǎn)能；至于新建的高雄市晶圓第 22 廠與新竹市晶圓第 20 廠，則會(huì)給更先進(jìn)的 N2、A16 制程節(jié)點(diǎn)預(yù)留空間。

臺(tái)積電還將嘗試“跨廠協(xié)作”模式，在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓第 14 廠利用閑置的 N6/N7 產(chǎn)線處理 N3 工藝后道工序（IT之家注：BEOL），預(yù)計(jì)在 2026 年下半年可額外增加 5000 片-1 萬(wàn)片月產(chǎn)能。

至于美國(guó)亞利桑那州的 Fab 21 工廠則預(yù)計(jì)在 2026 年第二季進(jìn)場(chǎng)，但最快要到 2027 年初才能達(dá)到 1 萬(wàn)片的月產(chǎn)能，短期內(nèi)無(wú)法緩解公司壓力。

此外，臺(tái)積電目前正在將產(chǎn)能稀缺性轉(zhuǎn)化為獲利優(yōu)勢(shì)，摩根大通根據(jù)供應(yīng)鏈調(diào)查發(fā)現(xiàn)，部分客戶為確保如期交貨，開了高出一般訂單 50%-100% 的加急單，雖然這種訂單只占總產(chǎn)能的 10%，但對(duì)整體盈利貢獻(xiàn)顯著。